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130億元投資相變存儲,國產內存要彎道超車?

作者: admin 日期: 2018-03-30 人氣: - 評論: 0

最近幾年,隨著相關政策的全面落地推廣執行,在國家的大力支持下,我國芯片產業發展取得了重大突破,芯片產業也不斷迎來成長的新拐點!

但不得不面對的現實是,我國的芯片產業還處在起步階段,尤其在DRAM領域中,巨大的市場被國外的巨頭瓜分,僅僅是三星、SK海力士和鎂光三家公司就占據了全球內存市場95%的份額。中國要想在內存市場突破封鎖并不容易,盡管有紫光、長鑫、兆易創新等公司投身存儲芯片市場,但國內現有的DDR內存技術還僅僅是入門而已!

130億元投資相變存儲,國產內存要彎道超車?

新型技術的出現

相變存儲(Phase Change MemoryPCM)是諸多號稱能“改變未來”的新內存技術之一,擁有接近DRAM的速度、遠超過快閃內存的使用壽命,以及不供電也能保存資料的特性。通常被成為PCM或相變RAM的這種技術,是通過加熱的方法改變硫屬化物玻璃(chalcogenide glass)的晶體狀態,從而實現信息的存儲。

在某些方面來說,它和憶阻體有點像,都是利用物質的電阻高低值來存儲信息,只是真正的憶阻體是用電壓來控制物質的電阻,而相變內存用的卻是溫度。

研究結果顯示,在0.5THz強度的電脈沖情況下,僅需幾皮秒(1秒等于1012皮秒)相變內存就能產生用于存儲數據的結晶纖維,盡管其他大部分依舊呈無定形狀態,但基于以上實驗結果,可以認為相變內存的相變過程基本在皮秒級別,而現在的DRAM(1秒等于109皮秒)內存是用納秒來衡量的,如此一來便是1000倍的差距(1納秒等于103皮秒)

于是,相變存儲芯片被稱為21世紀的存儲芯片標準,與傳統存儲芯片(比如內存)相比,它是一種非易失性存儲芯片,但是速度達到了傳統存儲芯片的1000倍,同時可靠性是后者的1000倍——當然這些指標都是理論上的,不過絲毫不妨礙各大內存巨頭投身相變存儲的開發和布局當中!

我們的動作

322日淮安市集成電路產業現場推進暨江蘇時代芯存半導體有限公司相變存儲器工廠竣工運營啟動儀式在淮安高新技術產業開發區順利舉行,此舉標志著130億元投資的相變存儲項目開始進入運營階段。這個項目去年11月份完成了廠房封頂,并完成了設備采購,從開工到封頂不到9個月時間,今年3月底開始運營。

江蘇時代芯存半導體有限公司由寧波時代全芯科技有限公司和淮安園興投資有限公司共同出資成立,正式成立于201610月。公司致力于開發及生產搭載最新PCM技術的存儲產品。江蘇淮安PCM生產項目總投資130億元,一期投資43億元,淮安園興投資有限公司出資16億元人民幣占股44%。寧波時代全芯科技有限公司以自有的知識產權和現金出資,占股56%,其中知識產權主要包括公司的專有技術及專利。

根據了解,該項目建成后將年產10萬片12英寸PCM相變存儲芯片,占地276畝。上周已經開始正式運營,預計年產值45億元,利稅3億元。項目的成功建設,將填補中國在存儲器方面研發和生產的空白,也將加快淮安打造新一代存儲器產業基地的步伐。

小結

就目前技術來上看,雖然PCM相變存儲器跟閃存相比在成本和容量上沒有什么優勢,并且他的可靠性有效性還很多的停留在理論值上。同時,通過溫度變化來存儲的原理,也可能使高密度下功耗和溫度上升太多,存在散熱不良的隱患。但第四代存儲時代已經到來,無論從經濟上還是戰略上,發展PCM是中國存儲彎道超車的最佳機會。

我們能看到中國半導體企業的積極投入,同時也希望在技術上取得關鍵突破,在內存上大有作為,實現彎道超車,打破行業壟斷,展現出我們自己的風采。


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